Syllabus
MTJ-1011 Electrónica analógica
MCIE. JOSUE ABRAHAM MANRIQUE EK
jamanrique@itescam.edu.mx
Semestre | Horas Teoría | Horas Práctica | Créditos | Clasificación |
5 | 4 | 2 | 6 | Ciencia Ingeniería |
Prerrequisitos |
Conocimiento de algebra, metodos de solucion de matrices, metodo de solucion de la ecuaciones lineales.Conocimientos basicos de fisica enfocado a elementos electricos y electricidad y magnetismo. |
Competencias | Atributos de Ingeniería |
Normatividad |
1.- El alumno se presentará al salón de clases con una tolerancia de 15 minutos después de la hora 2.- El alumno guardará el debido respeto en el momento de entrar al salón de clases 3.- El alumno deberá participar en todas las actividades escolares que el instructor le indique. 4.- El alumno tendrá una tolerancia de 48 hrs. para justificar sus faltas 5.- los trabajos se recibirán en el tiempo y la forma señalada por el instructor de la clase. 6.- El alumno no debe de entrar con gorra al salón de clases 7.- El alumno debe de cumplir con el 80 % de asistencia como mínimo para poder tener derecho al examen departamental 8.- Resolver los ejercicios que la materia requiera en la pizarra y para la casa. |
Materiales |
1.- Un multimetro 2.- consumibles (resistencias y caimanes) 3.-hojas blancas 4.- el material de informacion 5.- 1 protoboard |
Bibliografía disponible en el Itescam | |||||
Título |
Autor |
Editorial |
Edición/Año |
Ejemplares |
|
Parámetros de Examen | ||
PARCIAL 1 | De la actividad 1.1.1 a la actividad 2.5.2 | |
PARCIAL 2 | De la actividad 3.1.1 a la actividad 3.6.3 |
Contenido (Unidad / Competencia / Actividad / Material de Aprendizaje) | |
1. Dispositivos Semiconductores
1.1. Materiales semiconductores. 1.1.1. Materiales intrínsecos Intrinsecos (55396 bytes) 1.1.2. Materiales extrínsecos: tipo N y tipo P Extrinsecos (38893 bytes) 1.2. Diodos 1.2.1. Características generales. Caracteristicas de diodos (24969 bytes) 1.2.2. Tensión umbral, de codo o de partida, Corriente máxima, Corriente inversa de Tensiones de diodos (436826 bytes) 1.2.3. Tensión de ruptura, Efecto avalancha, Efecto Zener. Voltaje de ruptura (37263 bytes) 1.3. Tipos de Diodos. 1.3.1. Rectificadores Rectificación (56700 bytes) 1.3.2. Diodos emisores de luz LED´s (145097 bytes) 1.3.3. Fotodiodo Fotodiodos (835666 bytes) 1.3.4. Schottky Diodo especial (394858 bytes) 1.3.5. Zener. Diodo Z (25257 bytes) 1.3.6. Diodo varicap Diodo V (1985216 bytes) 1.3.7. Diodo laser Diodo Laser (575966 bytes) 1.3.8. Diodo PIN PIN (189585 bytes) 1.4. Parámetros y característica eléctricas 1.4.1. Hoja de datos Datos (44043 bytes) 1.4.2. Pruebas eléctricas con equipo de mediciòn (Voltmetro, óhmetro, osciloscopio) Pruebas Técnicas (87198 bytes) |
2. Fuentes lineales de Alimentación
2.1. Transformadores 2.1.1. Transformador reductor Transformador (58668 bytes) 2.1.2. Construccion de transformadores monofasicos Construcción de T (143580 bytes) 2.2. Rectificadores 2.2.1. De media onda Media onda (714270 bytes) 2.2.2. De onda completa Onda completa (27023 bytes) 2.3. .Etapa de filtración 2.3.1. Voltaje de rizo voltaje de rizo (19885 bytes) 2.3.2. Ejemplos de porcentaje de rizado % rizado (306791 bytes) 2.4. Etapa de regulación. 2.4.1. Con diodo zener regulador diodos (350042 bytes) 2.4.2. Con circuitos integrados. reguladores lineales (26339 bytes) 2.5. Diseño y construcción, en circuito impreso, de una fuente de poder. 2.5.1. Uso de un software para elaboración de impresos Software (133994 bytes) 2.5.2. Uso de corrosión química para elaboración de pistas en circuito impreso Tecnicas para impresos (133994 bytes) |
3. Transistor Bipolar (BJT) y de Efecto de Campo (FET)
3.1. Transistor bipolar (BJT) 3.1.1. Construcción interna y polarización Construcción Interna (350329 bytes) 3.1.2. Configuraciones: Base común, Emisor común y Colector común Configuraciones (549020 bytes) 3.1.3. Circuitos de polarización http://es.scribd.com/doc/64026233/PRAC-01-Circuitos-de-Polarizacion-con-BJT 3.2. Parámetros y características 3.2.1. Hojas de datos caracteristicas de los fabricantes (352030 bytes) 3.2.2. Pruebas eléctricas con aparatos eléctricos de medición (Voltmetro, óhmetro, osciloscopio, http://es.scribd.com/doc/15871866/TIRISTORES 3.3. El transistor de efecto de campo (FET) 3.3.1. Construcción interna y polarización fet (133485 bytes) 3.3.2. Circuitos de polarización POL FET (83418 bytes) 3.4. Parámetros y características eléctricas 3.4.1. Hojas de datos CARACTERISTICAS ELECTRICAS (25018 bytes) 3.4.2. Pruebas eléctricas con aparatos eléctricos de medición (Voltmetro, óhmetro, osciloscopio) PRUEBA (14285 bytes) 3.5. Sistemas Multietapa 3.5.1. Circuitos mixtos (BJT y FET) CIRCUITOS (222698 bytes) 3.5.2. El transistor Darlington. DARLINGTON (17013 bytes) 3.5.3. Amplificador diferencial. AMPL-OP (151001 bytes) 3.6. Optotransistores 3.6.1. Optoaisladores con Salida a transistor y a Darlington OPTO ACOPLADOR-TRANSISTOR (19739 bytes) 3.6.2. Optoaisladores con Salida de compuerta lógica OPTOACOPLADORES - DIG (29248 bytes) 3.6.3. Optointerruptores reflectivos y de ranura RANURA SENSOR (140290 bytes) |
4. Amplificadores Operacionales
4.1. El amplificador operacional ideal 4.1.1. Esquema interno modelo interno (29272 bytes) 4.1.2. Parámetros y características eléctricas. parametrros (14971 bytes) 4.1.3. Relación de rechazo en modo común (CMRR). CMRR (24297 bytes) 4.2. Tensión de OFFSET 4.2.1. Corrientes de polarización corrient - pol (493793 bytes) 4.2.2. Tierra virtual. tierra (81956 bytes) 4.3. Circuitos básicos. 4.3.1. Inversor, no inversor y comparador circuitos (546314 bytes) 4.3.2. Sumador y restador cir2 (546314 bytes) 4.3.3. . Integrador y diferenciador integrador (546314 bytes) 4.4. Circuitos convertidores. 4.4.1. De voltaje a corriente. convert de v - i (18973 bytes) 4.4.2. De corriente a voltaje. con i a v (18703 bytes) 4.4.3. De voltaje a frecuencia. conv frec-volt (111112 bytes) 4.4.4. De frecuencia a voltaje. conv de volt a frec (1890963 bytes) |
Prácticas de Laboratorio (20232024P) |
Fecha |
Hora |
Grupo |
Aula |
Práctica |
Descripción |
Cronogramas (20232024P) | |||
Grupo | Actividad | Fecha | Carrera |
Temas para Segunda Reevaluación |